此款消费级P沟道MOSFET采用紧凑SOP-8封装,额定电压40V,具备13A强大连续电流处理能力。专为高功率应用设计,具有低导通电阻和优异开关性能,广泛应用于电池管理系统、电源转换及各类高效能电子设备中,实现卓越的功率控制与能效管理。

问 AI FAE数据手册 PDF
耐压40 V
连续漏极电流12 A
导通电阻20 mΩ

全部替代型号

查看完整报告

技术参数

耐压40 V
连续漏极电流12 A
导通电阻20 mΩ最大 · 4.5V
电源
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)12A
其他
导通电阻(RDS(on))20mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)52.1W

技术资料