AO4803A-HXY
晶体管 - FET，MOSFET - 单AO4803A 是一款高性能2个P沟道沟道MOSFET，采用标准SOP-8封装，适用于各类电子设备。该器件的关键特性包括最大工作电压VDSS高达30V，能提供稳定的5.3A漏极电流；其35mΩ的导通电阻RD(on)设计，有效降低系统功耗，实现高效能运作。广泛应用于电源管理、电机驱动、负载开关控制等领域，是您构建高可靠性、节能型电子系统的理想MOS管选择。
沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流5.3 A
导通电阻42 mΩ
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沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流5.3 A
导通电阻42 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@10V |
| 数量 | 2个P沟道 |