AO4803A
晶体管 - FET，MOSFET - 单采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷下提供优异的Rps(on)，可应用于多种应用领域。
沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流5.1 A
导通电阻55 mΩ
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沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流5.1 A
导通电阻55 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 5.1A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V,5.1A |
| 数量 | 2个P沟道 |
采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷下提供优异的Rps(on)，可应用于多种应用领域。
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 5.1A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V,5.1A |
| 数量 | 2个P沟道 |