AP2303GN-JSM
晶体管 - FET，MOSFET - 单适用于DC-DC转换、低电压电源开关及负载控制应用，提供低导通电阻和出色的性能表现，是现代电子设备的理想功率管理组件。
沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流4.3 A
导通电阻78 mΩ
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沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流4.3 A
导通电阻78 mΩ最大 · 2.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 78mΩ@2.5V |
| 数量 | 1个P沟道 |