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类型Flash
接口并口
供电电压≥ 5 V
时钟频率5 MHz最大
规格书核对参数
22 项| 参数 | 值和测试条件 | 出处 |
|---|---|---|
| 类型 | Flash Memory | |
| 容量 | 4 megabits (524,288 words by 8 bits) | |
| 接口 | Parallel (8-bit Data, 19-bit Address) | |
| 供电电压 | 5V (Single-voltage Operation) | |
| 时钟频率 | 5 MHz (for Active Current test condition) | |
| 封装 | 32J (TSOP), 32P6 (DIP), 32T (PLCC) |
全部参数（9 项）
| 电源 | |
|---|---|
| VCC Active Current | 50 mA (Max) |
| VCC Standby Current CMOS | 100 µA (Max) |
| 环境与封装 | |
| Memory Size | 4 megabits |
| Package | TSOP |
| Temperature Under Bias | -55°C to +125°C |
| 其他 | |
| Access Time | 55 ns |
| Byte Programming Time | 50 µs/Byte |
| Erase Cycle Time | 10 seconds |
| Organization | 524,288 words by 8 bits |
引脚与封装
Type 1
| 脚位 | 名称 | 功能 | 出处 |
|---|---|---|---|
| 1 | A11 | (地址) | |
| 2 | A9 | (地址) | |
| 3 | A8 | (地址) | |
| 4 | A13 | (地址) | |
| 5 | A14 | (地址) | |
| 6 | A17 | (地址) | |
| 7 | WE | (写使能) | |
| 8 | VCC | (电源) | |
| 9 | A18 | (地址) | |
| 10 | A16 | (地址) | |
| 11 | A15 | (地址) | |
| 12 | A12 | (地址) | |
| 13 | A7 | (地址) | |
| 14 | A6 | (地址) | |
| 15 | A5 | (地址) | |
| 16 | A4 | (地址) | |
| 17 | A3 | (地址) | |
| 18 | A2 | (地址) | |
| 19 | A1 | (地址) | |
| 20 | A0 | (地址) | |
| 21 | I/O0 | (数据输入/输出) | |
| 22 | I/O1 | (数据输入/输出) | |
| 23 | I/O2 | (数据输入/输出) | |
| 24 | GND | (地) | |
| 25 | I/O3 | (数据输入/输出) | |
| 26 | I/O4 | (数据输入/输出) | |
| 27 | I/O5 | (数据输入/输出) | |
| 28 | I/O6 | (数据输入/输出) | |
| 29 | I/O7 | (数据输入/输出) | |
| 30 | CE | (片选) | |
| 31 | A10 | (地址) | |
| 32 | OE | (输出使能) |
器件图片
技术资料
规格书核对内容由 AI 从原厂规格书提取，点页码查看原文。