AU10N65S
晶体管 - FET，MOSFET - 单N沟道,电流:10A,耐压:650V
沟道N 沟道
耐压650 V
连续漏极电流10 A
导通电阻1.3 Ω
全部替代型号
查看完整报告已收录 3 个替代型号，其中国产替代 2 个，登录后查看。
技术参数
沟道N 沟道
耐压650 V
连续漏极电流10 A
导通电阻1.3 Ω最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 连续漏极电流(Id) | 10A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3Ω@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |
N沟道,电流:10A,耐压:650V
已收录 3 个替代型号，其中国产替代 2 个，登录后查看。
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 连续漏极电流(Id) | 10A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3Ω@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |