ANHI(安海)中国

AUP065N10

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流76 A
导通电阻11 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流76 A
导通电阻11 mΩ最大 · 4.5V
电源
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)76A
其他
导通电阻(RDS(on))11mΩ@4.5V,20A
数量1个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 635.4 KB · 2026-09-21
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