HXY MOSFET(华轩阳电子)中国

该肖特基二极管为独立式配置，具有3A的平均正向电流（IF）和100V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.85V，在导通状态下保持较低功耗；反向漏电流（IR）最大为100μA，表现出优异的反向阻断特性。器件可承受高达70A的非重复正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源次级侧、便携式电子设备电源管理及对效率与热性能有较高要求的电路场合。