HXY MOSFET(华轩阳电子)中国

该肖特基二极管采用独立式配置，具有3A的正向电流（IF）和60V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.7V，在导通状态下能有效降低功耗。在反向偏置条件下，漏电流（IR）为500μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达70A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流与高频开关场景。