HXY MOSFET(华轩阳电子)中国

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为0.2A，反向重复峰值电压（VR）达100V。其正向压降（VF）为1.24V，在较高反向耐压下仍保持合理的导通特性；反向漏电流（IR）低至0.5μA，有助于减少静态功耗。器件可承受2A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对反向电压要求较高且需低漏电性能的整流、箝位及开关保护电路。