HXY MOSFET(华轩阳电子)中国

该肖特基二极管具有0.2A的平均正向整流电流（IF）和30V的反向耐压（VR），适用于低电压、小电流的整流与保护应用。其正向导通压降典型值为0.8V，显著低于传统PN结二极管，可有效降低功耗，提高系统能效。在反向工作状态下，漏电流（IR）低至2μA，具备良好的阻断性能。器件可承受0.6A的峰值浪涌电流（IFSM），具有一定的瞬态耐受能力。由于其低开启电压和快速开关特性，常用于便携式电子设备的电源管理、电池充放电回路、DC-DC转换器输出整流及防倒灌电路中，满足对空间和效率要求较高的设计需求。【联系：sales@hxymos.com】