晶体管类型:PNP。 集电极电流ICM:-100MA 集电极-基极击穿电压BVCBO:-80V 集电极-发射极击穿电压BVCEO:-65V 直流电流增益HFE:200-450

查看国产替代问 AI FAE
类型PNP
集射极耐压30 V
集电极电流100 mA
功率500 mW

全部替代型号

查看完整报告

技术参数

类型PNP
集射极耐压30 V
集电极电流100 mA最大
功率500 mW最大
电源
集射极击穿电压(Vceo)30V
集电极电流(Ic)100mA
其他
晶体管类型PNP
耗散功率(Pd)500mW

技术资料

该型号暂未收录资料。