NPN通用双极晶体管，VCEO 65V，IC 100mA，SOT-323封装，hFE 200-450，无卤素，RoHS合规。规格书核对
类型NPN
集射极耐压65 V
集电极电流100 mA
放大倍数 hFE200 ~ 450
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技术参数
类型NPN
集射极耐压65 VMin 65 V (IC=10mA，IB=0)
集电极电流100 mA最大
放大倍数 hFE200 ~ 450Max 450 (VCE=5V，IC=2mA)
功率200 mW最大
规格书核对参数
24 项| 参数 | 值和测试条件 | 出处 |
|---|---|---|
| 类型 | NPN | |
| 集射极耐压 | Min 65 V (IC=10mA, IB=0) | |
| 集电极电流 | Max 100 mA | |
| 放大倍数 hFE | Min 200, Typ 290, Max 450 (VCE=5V, IC=2mA) | |
| 功率 | Max 200 mW | |
| 封装 | SOT-323 |
全部参数（17 项）
| 电源 | |
|---|---|
| IC-最大集电极电流 | 0.1A |
| VCBO-CB结击穿电压 | 80V |
| VCBO-集基级击穿电压 | 80V |
| VCEO-CE结击穿电压 | 65V |
| VCEO-集射级击穿电压 | 65V |
| VEBO-EB结击穿电压 | 6V |
| VEBO-射基级击穿电压 | 6V |
| 交流 / 直流特性 | |
| fT-变换频率 | NMHZ |
| hFE-最小直流增益 | 200 |
| Hfe-最小直流增益 | 200 |
| 环境与封装 | |
| 封装类型1 | SOT323 |
| 最大工作温度 | 150℃ |
| 其他 | |
| Pd-功率耗散 | 0.2W |
| Pd-最大功率耗散 | 0.15W |
| VCE(sat)-CE结饱和压降 | 0.25V |
| VCE(sat)-集射级饱和压降 | 0.5V |
| 引脚数量1 | 3 |
引脚与封装
封装SOT-323
| 脚位 | 名称 | 功能 | 出处 |
|---|---|---|---|
| 1 | 集电极 (Collector) | ||
| 2 | 基极 (Base) | ||
| 3 | 发射极 (Emitter) |
器件图片
技术资料
规格书核对内容由 AI 从原厂规格书提取，点页码查看原文。