BC849CW,135
NXP USA Inc.荷兰

BC849CW,135

在产晶体管 - 双极(BJT) - 单管SOT-323

NOW NEXPERIA BC849CW - SMALL SIG

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类型NPN
集射极耐压30 V
集电极电流100 mA
放大倍数 hFE420

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技术参数

类型NPN
集射极耐压30 V
集电极电流100 mA最大
放大倍数 hFE4202mA
功率200 mW最大
电源
Current - Collector Cutoff (Max)15nA (ICBO)
Current - Collector (Ic) (Max)100 mA
Power - Max200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)30 V
交流 / 直流特性
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition100MHz
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature150°C(TJ)
PackageBulk
Package / CaseSC-70, SOT-323
Supplier Device PackageSOT-323
其他
MfrNXP USA Inc.
Product StatusActive
SeriesAutomotive, AEC-Q101
Transistor TypeNPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic600mV @ 5mA, 100mA

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技术资料

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