IC PNP TRANSISTOR 60V 1A SOT-89

PNP中功率晶体管,集射极耐压-60V,集电极电流-1A,SOT89封装,适用于线性稳压器和高侧开关。规格书核对

类型PNP
集射极耐压-60 V
集电极电流-1 A
放大倍数 hFE63 ~ 250

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技术参数

类型PNP
集射极耐压-60 V
集电极电流-1 A最大
放大倍数 hFE63 ~ 250Max 250 (VCE = -2 V,IC = -150 mA)
功率500 mW最大 · Max 0.5 W (Tamb ≤ 25 °C,Max 0.9 W (Tamb ≤ 25 °C,Max 1.3 W (Tamb ≤ 25 °C

规格书核对参数

15 项
参数值和测试条件出处
类型PNP medium power transistor
集射极耐压Max -60 V (open base)
集电极电流Max -1 A
放大倍数 hFEMin 63, Max 250 (VCE = -2 V; IC = -150 mA)
功率Max 0.5 W (Tamb ≤ 25 °C, FR4 PCB standard footprint); Max 0.9 W (Tamb ≤ 25 °C, mounting pad 1 cm²); Max 1.3 W (Tamb ≤ 25 °C, mounting pad 6 cm²)
封装SOT89 (SC-62/TO-243)
工作温度Min -65 °C, Max +150 °C
结温Max 150 °C
存储温度Min -65 °C, Max +150 °C
集基极耐压Max -60 V (open emitter)
射基极耐压Max -5 V (open collector)
峰值集电极电流Max -1.5 A (single pulse; tp ≤ 1 ms)
峰值基极电流Max -0.2 A (single pulse; tp ≤ 1 ms)
结到环境热阻Max 230 K/W (in free air, standard footprint); Max 135 K/W (mounting pad 1 cm²); Max 95 K/W (mounting pad 6 cm²)
结到焊点热阻Max 20 K/W

引脚与封装

封装SOT89 (SC-62/TO-243)

脚位名称功能出处
1发射极
2集电极
3基极

器件图片

技术资料

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