BFU530AR

双极 RF 晶体管plastic surface-mounted package

TRANSISTOR BJT NPN 24V 40MA SOT23

NXP BFU530A NPN硅RF晶体管，SOT23封装，适用于2 GHz以下低噪声应用，AEC-Q101认证，最大集电极电流40 mA。规格书核对

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16 项

参数	值和测试条件	出处
封装	plastic surface-mounted package; 3 leads SOT23
工作温度	Min -40 °C, Max +150 °C
等级	AEC-Q101 qualified
集电极-基极电压	Max 24 V (open emitter)
集电极-发射极电压	Max 12 V (open base), Max 24 V (shorted base)
发射极-基极电压	Max 2 V (open collector)
集电极电流	Max 40 mA
总耗散功率	Max 450 mW (Tsp ≤ 87 °C)
直流电流增益	Min 60, Typ 95, Max 200 (IC = 10 mA; VCE = 8 V)
集电极电容	Typ 0.67 pF (VCB = 8 V; f = 1 MHz)
特征频率	Typ 11 GHz (IC = 15 mA; VCE = 8 V; f = 900 MHz)
最大功率增益	Typ 18 dB (IC = 10 mA; VCE = 8 V; f = 900 MHz)
最小噪声系数	Typ 0.6 dB (IC = 1 mA; VCE = 8 V; f = 900 MHz; ΓS = Γopt)
1 dB增益压缩输出功率	Typ 10 dBm (IC = 15 mA; VCE = 8 V; ZS = ZL = 50 Ω; f = 900 MHz)
存储温度	Min -65 °C, Max +150 °C
静电放电电压	Max ±150 V (HBM), Max ±2 kV (CDM)

全部参数（9 项）展开收起

封装plastic surface-mounted package; 3 leads SOT23

规格书核对内容由 AI 从原厂规格书提取，点页码查看原文。