Power LDMOS transistor
10 W LDMOS功率晶体管，用于HF至2200 MHz基站应用，SOT538A陶瓷表面贴装封装，集成ESD保护，符合RoHS指令。规格书核对
集射极耐压65 V
功率10 W
全部替代型号
查看完整报告已收录 2 个替代型号，登录后查看。
技术参数
集射极耐压65 V
功率10 W最大
规格书核对参数
15 项| 参数 | 值和测试条件 | 出处 |
|---|---|---|
| 类型 | LDMOS power transistor | |
| 集射极耐压 | Max 65 V | |
| 功率 | 10 W | |
| 封装 | SOT538A; ceramic surface-mounted package; 2 leads | |
| 工作温度 | Min -65 °C; Max +150 °C | |
| 结温 | Max 225 °C |
引脚与封装
封装SOT538A; ceramic surface-mounted package; 2 leads
| 脚位 | 名称 | 功能 | 出处 |
|---|---|---|---|
| 1 | 漏极 (drain) | ||
| 2 | 栅极 (gate) | ||
| 3 | 源极 (source)，连接至法兰 |
器件图片
技术资料
规格书核对内容由 AI 从原厂规格书提取，点页码查看原文。