BSH105,215-JSM
晶体管 - FET，MOSFET - 单数量：1个N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A 导通电阻(RDS(on))：50mΩ@1.8V 耗散功率(Pd)：1.25W 阈值电压(Vgs(th))：1V@250uA
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数量：1个N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A 导通电阻(RDS(on))：50mΩ@1.8V 耗散功率(Pd)：1.25W 阈值电压(Vgs(th))：1V@250uA
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