N-channel enhancement mode MOS transistor
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技术参数
| 电源 | |
|---|---|
| Channel type | N |
| 环境与封装 | |
| Automotive qualified | N |
| Halogen free | Yes |
| Package name | SOT23 |
| Package version | SOT23 |
| RoHS | Compliant |
| 其他 | |
| Ciss [typ] | 152 |
| Coss [typ] | 71 |
| ID [max] | 1.05 |
| Nr of transistors | 1 |
| Product status | Not for design in |
| Ptot [max] | 0.17 |
| QGD [typ] | 1.4 |
| QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V | 3.9 |
| Qr [typ] | 19 |
| RDSon [max] @ VGS = 2.5 V | 250 |
| RDSon [max] @ VGS = 4.5 V; @25 C | 200 |
| Release date | 2011-01-24 |
| Tj [max] | 150 |
| VDS [max] | 20 |
| VGS [max] | 8 |
| VGSth @25 C [min] | 0.4 |
| VGSth [typ] | 0.57 |
器件图片
技术资料
数据手册数据手册 · 224.4 KB · 2026-09-23应用笔记应用笔记 · 32.5 MB · 2026-09-23宣传资料宣传资料 · 6.0 MB · 2026-09-23其他资料其他资料 · 3.0 MB · 2026-09-23应用笔记应用笔记 · 2.7 MB · 2026-09-23应用笔记应用笔记 · 1.0 MB · 2026-09-23应用笔记应用笔记 · 593.7 KB · 2026-09-23应用笔记应用笔记 · 509.9 KB · 2026-09-23应用笔记应用笔记 · 497.8 KB · 2026-09-23应用笔记应用笔记 · 406.9 KB · 2026-09-23应用笔记应用笔记 · 294.0 KB · 2026-09-23封装图纸封装图纸 · 243.5 KB · 2026-09-23封装图纸封装图纸 · 220.9 KB · 2026-09-23应用笔记应用笔记 · 183.8 KB · 2026-09-23封装图纸封装图纸 · 141.1 KB · 2026-09-23其他资料其他资料 · 117.6 KB · 2026-09-23应用笔记应用笔记 · 87.4 KB · 2026-09-23应用笔记应用笔记 · 82.4 KB · 2026-09-23
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