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BSR202N L6327

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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沟道N 沟道
耐压20 V

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技术参数

沟道N 沟道
耐压20 V
电源
漏源电压(Vdss)20V
环境与封装
工作温度-55℃~+150℃
其他
数量1个N沟道
耗散功率(Pd)500mW

技术资料

数据手册数据手册 · 159.6 KB · 2026-09-21
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