BSS84
晶体管 - FET，MOSFET - 单PMOS 漏源电压(Vdss)：50V VGS=±20V 连续漏极电流(Id):0.13A 导通电阻(RDS(on)):5Ω@10V,0.13A 耗散功率(Pd);0.225W
沟道P 沟道
耐压50 V
连续漏极电流130 mA
导通电阻4 Ω
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沟道P 沟道
耐压50 V
连续漏极电流130 mA
导通电阻4 Ω最大 · 10V，4.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 50V |
| 连续漏极电流(Id) | 130mA |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6Ω@10V；4Ω@4.5V |
| 数量 | 1个P沟道 |