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技术参数
| 电源 | |
|---|---|
| di/dt-通态电流上升率 | NA/us |
| IGT-直流门极触发电流 | 50mA |
| ITRMS-通态电流有效值 | 40A |
| ITSM-不可重复峰值通态电流 | 13000A |
| VDRM-断态可重复峰值电压 | 4500V |
| 环境与封装 | |
| 封装类型1 | TO3P |
| 最大工作温度 | 150°C |
| 其他 | |
| 引脚数量1 | 3 |
技术资料
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| 电源 | |
|---|---|
| di/dt-通态电流上升率 | NA/us |
| IGT-直流门极触发电流 | 50mA |
| ITRMS-通态电流有效值 | 40A |
| ITSM-不可重复峰值通态电流 | 13000A |
| VDRM-断态可重复峰值电压 | 4500V |
| 环境与封装 | |
| 封装类型1 | TO3P |
| 最大工作温度 | 150°C |
| 其他 | |
| 引脚数量1 | 3 |
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