HXY MOSFET(华轩阳电子)中国

【联系：sales@hxymos.com】该碳化硅二极管为独立式配置，具有8A的额定正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.3V，非重复浪涌正向电流（IFSM）可达64A。其基于碳化硅材料的结构在高频开关过程中展现出较低的导通损耗与快速恢复特性，适用于高效率电源、开关模式电源转换器以及对热性能和空间布局有严格要求的电力电子系统。