Convert Semiconductor(锴威特半导体)中国

C3S065D004C

在产单二极管TO252-2

SiC SBD

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技术参数

环境与封装
PackageTO252-2
其他
Cj (pF)250
Qc (nC)11.5
StatusR&D
Tech nologySICSBD III
VDS (V)650
VF (V)1.27

技术资料

数据手册数据手册 · 990.3 KB · 2026-09-23
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