CDBA1100-G

CDBA1100-G

在产单二极管

【联系:sales@hxymos.com】该肖特基二极管采用独立式结构,额定正向电流为1A,最大反向电压达100V,正向压降典型值为0.85V,有助于减少导通损耗并提升能效。在100V反向电压下,其漏电流不超过100μA,表现出良好的反向阻断能力。器件可承受高达30A的非重复峰值浪涌电流(IFSM),适用于高频整流、开关电源次级侧、适配器、消费类电子设备及对效率和热性能有要求的低压直流电路中。

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正向压降850 mV

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技术参数

正向压降850 mV最大
环境与封装
封装SMA
其他
IF1A
IFSM30A
IR100uA
VF0.85V
VR100V
二极管配置独立式

器件图片

技术资料