HXY MOSFET(华轩阳电子)中国

【联系：sales@hxymos.com】该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为2A，最大反向电压（VR）为100V。其正向压降（VF）典型值为0.85V，有助于在导通状态下维持较低的功耗；在最大反向电压条件下，反向漏电流（IR）不超过100μA，表现出良好的反向截止特性。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的整流、续流及保护电路，常见于开关电源、充电器及各类消费类电子设备中。