HXY MOSFET(华轩阳电子)中国

【联系：sales@hxymos.com】该肖特基二极管为独立式配置，具有2A的平均正向电流（IF）和100V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.85V，在导通状态下能有效降低功耗；反向漏电流（IR）在额定条件下不超过100μA，确保良好的关断特性。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、高频开关及低压输出等电路场合。