CEU50N06-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型场效应晶体管，采用Trench工艺，具有较低的导通电阻和较高的性能，适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用，为相关领域提供了可靠的解决方案。TO252；N—Channel沟道,60V；58A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
沟道N 沟道
耐压60 V
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沟道N 沟道
耐压60 V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 其他 | |
| 数量 | 1个N沟道 |