CEU6426-JSM
晶体管 - FET，MOSFET - 单适用于电池保护、负载开关等应用，拥有低导通电阻和快速切换特性，为电子设备提供可靠高效的功率管理解决方案。
沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流30 A
导通电阻40 mΩ
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沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流30 A
导通电阻40 mΩ最大 · 4.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 30A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V,10A |
| 数量 | 1个N沟道 |