CEU655-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，其性能特点使其适用于各种功率开关和驱动应用。TO252；N—Channel沟道,200V；10A；RDS(ON)=245mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=2~4V；
沟道N 沟道
耐压200 V
连续漏极电流10 A
全部替代型号
查看完整报告技术参数
沟道N 沟道
耐压200 V
连续漏极电流10 A
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 200V |
| 连续漏极电流(Id) | 10A |
| 其他 | |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 96W |