功成-CoolSemi

CMBG120G035M2

在产单 FET，MOSFETTO-263-7

SiC MOSFET 功率半导体器件

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技术参数

环境与封装
PackageTO-263-7
其他
ID(A)74
RDS(on)(mΩ)35
TJ(Max.)(℃)175
TJ(Min.)(℃)-40
VDSmax(V)1200

技术资料

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