CMD600N15
晶体管 - FET，MOSFET - 单MOS，TO-252，N场，耐压：150V，电流：20A，10V内阻：0.06Ω，功率：60W,CissTyp：440PF
沟道N 沟道
耐压150 V
连续漏极电流20 A
导通电阻60 mΩ
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沟道N 沟道
耐压150 V
连续漏极电流20 A
导通电阻60 mΩ最大
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 150V |
| 连续漏极电流(Id) | 20A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ |
| 数量 | 1个N沟道 |
技术资料
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