CMD60N06
晶体管 - FET，MOSFET - 单MOS管，封装：TO-252，电压：60V，电流：60A，10V内阻：0.018毫欧，4.5V内阻：0.02毫欧，功率：80W，CissTyp：2800pF
沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流60 A
导通电阻15 mΩ
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沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流60 A
导通电阻15 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 60A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |
技术资料
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