全部替代型号
查看完整报告技术参数
| 环境与封装 | |
|---|---|
| Package | PDFN3.3x3.3 |
| 其他 | |
| Configuration | Dual |
| ID(A) | 32 |
| N/P | N |
| Plateform | Trench MOSFET |
| Rdson @VGS10V Max(mΩ) | 12 |
| Rdson @VGS10V Typ(mΩ) | 9 |
| Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) | 17 |
| Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) | 12 |
| VDSS(V) | 30 |
| VGS(th) Max | 3 |
| VGS(th) Min | 1 |
| VGS(V) | ±20 |