CMSC110N06
晶体管 - FET，MOSFET - 单MOS管，封装：DFN-8 3.3x3.3，N场，电压：60V，电流：20A，10V内阻：0.011Ω，4.5V内阻：0.019Ω，功率：50W，CissTyp：680pF
沟道N 沟道
耐压60 V
导通电阻9 mΩ
全部替代型号
查看完整报告技术参数
沟道N 沟道
耐压60 V
导通电阻9 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
技术资料
该型号暂未收录资料。