华润华晶中国

CS10N80FA9D

晶体管 - FET，MOSFET - 单

N沟道,800V,10A,720mΩ@10V

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沟道N 沟道
耐压800 V
连续漏极电流10 A
导通电阻900 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压800 V
连续漏极电流10 A
导通电阻900 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)800V
连续漏极电流(Id)10A
其他
导通电阻(RDS(on))900mΩ@10V,5A
数量1个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 282.5 KB · 2026-09-21
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