华润华晶中国

CS25N06B4

晶体管 - FET，MOSFET - 单

N沟道,60V,25A,28mΩ@10V

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沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流25 A
导通电阻36 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流25 A
导通电阻36 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)25A
其他
导通电阻(RDS(on))36mΩ@10V,18A
数量1个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 697.5 KB · 2026-09-21
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