CUS03

Toshiba CUS03 肖特基势垒二极管，40V/0.7A，US-FLAT封装，适用于开关电源及便携设备。规格书核对

反向耐压40 V

平均整流电流700 mA

正向压降520 mV

类型肖特基

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反向耐压40 V

平均整流电流700 mA0.7 A (Note 1: Ta = 53°C，Rectangular waveform α = 180°，VR = 20 V)

正向压降520 mV最大 · Max. 0.52 V (Test Condition: IFM=0.7 A

类型肖特基

13 项

参数	值和测试条件	出处
重复峰值反向电压	40 V
平均正向电流	0.7 A (Note 1: Ta = 53°C, Device mounted on a glass-epoxy board 50 mm × 50 mm, Soldering land size 6 mm × 6 mm, Rectangular waveform α = 180°, VR = 20 V)
峰值正向电压	Typ. 0.48 V, Max. 0.52 V (Test Condition: IFM=0.7 A, pulse test)
二极管类型	Schottky Barrier Diode
封装	US-FLAT
结温	-40 to 150 °C
存储温度范围	-40 to 150 °C
非重复峰值正向浪涌电流	20 A (50 Hz)
重复峰值反向电流	Typ. 3.0 μA, Max. 100 μA (Test Condition: VRRM=40 V, pulse test)
结电容	Typ. 45 pF (Test Condition: VR=10 V, f=1.0 MHz)
热阻(结到环境)	Max. 150 °C/W (Device mounted on a glass-epoxy board 50 mm × 50 mm, soldering land size 6 mm × 6 mm, board thickness 1.6 mm)
热阻(结到引脚)	Max. 30 °C/W (Junction to lead of cathode side)
推荐工作条件	Worst-case current ≤ 80% of IF(AV) absolute max rating, Tj < 120°C

封装US-FLAT

脚位	名称	功能	出处
1		阳极 (ANODE)
2		阴极 (CATHODE)

规格书核对内容由 AI 从原厂规格书提取，点页码查看原文。