WXDH(东海半导体)中国

DH033N03R

晶体管 - FET，MOSFET - 单

1个N沟道 耐压:30V 电流:65A

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沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流65 A
导通电阻6.2 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流65 A
导通电阻6.2 mΩ最大 · 4.5V
电源
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)65A
其他
导通电阻(RDS(on))6.2mΩ@4.5V,20A
数量1个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 696.5 KB · 2026-09-21
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