SOT23 (Standard) Top View
Diodes Incorporated美国

DMP2305UQ-7

在产单 FET，MOSFETSOT23

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3

DMP2305UQ-7 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，耐压 20V，导通电阻典型值 45mΩ (VGS=-4.5V)，采用 SOT23 封装，符合 AEC-Q101 汽车级标准及 RoHS 无铅无卤要求。规格书核对

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沟道P 沟道
耐压-20 V
连续漏极电流4.2 A
导通电阻60 mΩ

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技术参数

沟道P 沟道
耐压-20 VTest Condition: VGS=0V，ID=-250μA
连续漏极电流4.2 A
导通电阻60 mΩ最大 · Test Condition: VGS=-4.5V，ID=-4.2A
阈值电压-900 mV最大 · Test Condition: VDS=VGS，ID=-250μA

规格书核对参数

19 项
参数值和测试条件出处
沟道P-CHANNEL
耐压Min: -20 V, Test Condition: VGS=0V, ID=-250μA
导通电阻Typ: 45 mΩ, Max: 60 mΩ, Test Condition: VGS=-4.5V, ID=-4.2A
阈值电压Min: -0.5 V, Max: -0.9 V, Test Condition: VDS=VGS, ID=-250μA
封装SOT23 (Standard)
等级Automotive (AEC-Q101 qualified)
RoHSFully RoHS Compliant
无卤Halogen and Antimony Free. “Green” Device
零栅极电压漏极电流Max: -1.0 μA, Test Condition: VDS=-20V, VGS=0V, TJ=+25°C
栅源漏电流Max: ±100 nA, Test Condition: VGS=±8V, VDS=0V
正向转移导纳Typ: 9 S, Test Condition: VDS=-5V, ID=-4A
输入电容Typ: 727 pF, Test Condition: VDS=-20V, VGS=0V, f=1.0MHz
输出电容Typ: 69 pF, Test Condition: VDS=-20V, VGS=0V, f=1.0MHz
反向传输电容Typ: 64 pF, Test Condition: VDS=-20V, VGS=0V, f=1.0MHz
栅极电阻Typ: 23 Ω, Test Condition: VGS=0V, VDS=0V, f=1.0MHz
总栅极电荷Typ: 7.6 nC, Test Condition: VGS=-4.5V, VDS=-4V, ID=-3.5A
开启延迟时间Typ: 14.0 ns, Test Condition: VDS=-4V, VGS=-4.5V, RL=4Ω, RG=6Ω, ID=-1A
关闭延迟时间Typ: 53.8 ns, Test Condition: VDS=-4V, VGS=-4.5V, RL=4Ω, RG=6Ω, ID=-1A
包装形式Tape & Reel, Qty: 3000
全部参数（23 项）展开收起
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Power Dissipation (Max)1.4W
环境与封装
GradeAutomotive
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
QualificationAEC-Q101
Supplier Device PackageSOT-23-3
其他
Base Product NumberDMP2305
FET Feature-
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds727 pF @ 20 V
MfrDiodes Incorporated
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 4.2A, 4.5V
Series-
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA

引脚与封装

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封装：SOT23 (Standard)
脚位名称功能出处
1漏极 (Drain)
2栅极 (Gate)
3源极 (Source)

器件图片

技术资料

数据手册数据手册 · 520.2 KB · 2026-11-02
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