DMP2305UVT-7

MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23-3

20V P沟道增强型MOSFET，TSOT26封装，低导通电阻，符合AEC-Q101标准，无铅无卤素。规格书核对

沟道P 沟道

耐压-20 V

连续漏极电流-4.23 A

导通电阻60 mΩ

全部替代型号

沟道P 沟道

耐压-20 VVGS=0V，ID=-250μA

连续漏极电流-4.23 ATA=25°C，VGS=-4.5V

导通电阻60 mΩ最大 · VGS=-4.5V，ID=-4.2A

阈值电压-900 mV最大 · VDS=VGS，ID=-250μA

22 项

参数	值和测试条件	出处
沟道	P-CHANNEL
耐压	Min -20 V @ VGS=0V, ID=-250μA
连续漏极电流	Max -4.23 A @ TA=25°C, VGS=-4.5V
导通电阻	Typ 45 mΩ, Max 60 mΩ @ VGS=-4.5V, ID=-4.2A
阈值电压	Min -0.5 V, Max -0.9 V @ VDS=VGS, ID=-250μA
封装	TSOT26
等级	AEC-Q101
RoHS	Compliant
无卤	Yes
零栅极电压漏极电流	Max -1 μA @ VDS=-20V, VGS=0V
栅源漏电流	Max ±100 nA @ VGS=±8V, VDS=0V
正向转移导纳	Typ 9 S @ VDS=-5V, ID=-4A
输入电容	Typ 727 pF @ VDS=-20V, VGS=0V, f=1.0MHz
输出电容	Typ 69 pF @ VDS=-20V, VGS=0V, f=1.0MHz
反向传输电容	Typ 64 pF @ VDS=-20V, VGS=0V, f=1.0MHz
栅极电阻	Typ 23 Ω @ VGS=0V, VDS=0V, f=1.0MHz
总栅极电荷	Typ 7.6 nC @ VGS=-4.5V, VDS=-4V, ID=-3.5A
开启延迟时间	Typ 14.0 ns @ VDS=-4V, VGS=-4.5V, RL=4Ω, RG=6Ω, ID=-1A
关闭延迟时间	Typ 53.8 ns @ VDS=-4V, VGS=-4.5V, RL=4Ω, RG=6Ω, ID=-1A
封装材料	Molded Plastic, “Green” Molding Compound
阻燃等级	UL 94V-0
湿度敏感等级	Level 1 per J-STD-020

全部参数（21 项）展开收起

电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Power Dissipation (Max)	1.4W
环境与封装
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Package	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package	SOT-23-3
其他
Base Product Number	DMP2305
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	727 pF @ 20 V
Mfr	Diodes Incorporated
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60mOhm @ 4.2A, 4.5V
Series	-
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±8V
Vgs(th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA

规格书核对内容由 AI 从原厂规格书提取，点页码查看原文。