ES20N06
晶体管 - FET，MOSFET - 单类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：20.0A 功率(Pd)：33W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：26mΩ@10.0V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA
沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流20 A
导通电阻33 mΩ
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沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流20 A
导通电阻33 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 20A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |