FDN304P-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；SOT23；P—Channel沟道,-20V；-5A；RDS(ON)=34mΩ@VGS=4.5V,VGS=8V；Vth=-0.45~-1V；是一款单P通道功率MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于各种低压、小功率的电源管理、开关控制、信号放大和电路保护等领域。
耐压20 V
连续漏极电流5 A
导通电阻67 mΩ
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耐压20 V
连续漏极电流5 A
导通电阻67 mΩ最大 · 1.8V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 5A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 67mΩ@1.8V |
| 耗散功率(Pd) | 2W |