FDN304P

在产单 FET,MOSFETSOT-23

MOS · 中低压 沟槽Trench MOS

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沟道P 沟道

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技术参数

沟道P 沟道
电源
漏源电压 Vdss (V)20V
连续漏极电流 Id (A)4.1A
阈值电压 Vgs(th) (V)700mV
环境与封装
封装SOT-23(TO-236)
封装规格SOT-23(TO-236)
其他
反向传输电容 Crss (pF)85pF
导通电阻 RDS(on) (Ω)33mΩ@4.5V
数量1个P沟道
栅极电荷量 Qg (nC)8.8nC@4.5V
类型P沟道
耗散功率 Pd (W)1.31W
输入电容 Ciss (pF)830pF
输出电容 Coss (pF)132pF

技术资料

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