MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPER SOT-3
P沟道20V PowerTrench MOSFET，SuperSOT-3封装，低导通电阻，适用于电池管理和负载开关。规格书核对
沟道P 沟道
耐压-20 V
连续漏极电流-2.4 A
导通电阻100 mΩ
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沟道P 沟道
耐压-20 V
连续漏极电流-2.4 A
导通电阻100 mΩ最大 · VGS = -2.5 V，VGS = -1.8 V
规格书核对参数
9 项| 参数 | 值和测试条件 | 出处 |
|---|---|---|
| 沟道 | P-Channel | |
| 耐压 | -20 V | |
| 连续漏极电流 | -2.4 A (Note 1a) | |
| 导通电阻 | 70 mΩ @ VGS = -2.5 V; 100 mΩ @ VGS = -1.8 V | |
| 封装 | SuperSOT-3 | |
| 工作温度 | -55 to +150 °C |
全部参数（7 项）
| 环境与封装 | |
|---|---|
| Package | SuperSOT-3 |
| 其他 | |
| I_D | -2.4 A |
| P_D | 0.5 W |
| R_DS(on) | 52 mΩ (Max) |
| T_J, T_STG | -55 to +150 °C |
| V_DSS | -20 V |
| V_GS(th) | -0.8 V (Typ) |
引脚与封装
封装SuperSOT-3
| 脚位 | 名称 | 功能 | 出处 |
|---|---|---|---|
| 1 | 漏极 (D) | ||
| 2 | 栅极 (G) | ||
| 3 | 源极 (S) |
技术资料
规格书核对内容由 AI 从原厂规格书提取，点页码查看原文。