FDN340P
晶体管 - FET，MOSFET - 单该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，适用于20V电压系统，额定电流3A。具有低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电器、电源转换及各类电子设备中，实现高效、节能的功率控制与管理。
沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流3 A
导通电阻80 mΩ
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沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流3 A
导通电阻80 mΩ最大 · 4.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 3A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@4.5V |
| 数量 | 1个P沟道 |