MOSFET P-CH 20V 2A SOT-23
单P沟道逻辑电平PowerTrench MOSFET，采用先进工艺降低导通电阻和栅极电荷，适用于便携式电子负载开关、电源管理及DC/DC转换。规格书核对
沟道P 沟道
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沟道P 沟道
规格书核对参数
1 项| 参数 | 值和测试条件 | 出处 |
|---|---|---|
| 沟道 | P-Channel |
全部参数（8 项）
| 环境与封装 | |
|---|---|
| Package | SOT-23 |
| 其他 | |
| I_D | -2 A |
| P_D | 0.5 W |
| Q_g | 7.2 nC (Typ) |
| R_DS(on) | 70 mΩ (Max) |
| T_J, T_STG | -55 to +150 °C |
| V_DSS | -20 V |
| V_GS(th) | -0.8 V (Typ) |
技术资料
规格书核对内容由 AI 从原厂规格书提取，点页码查看原文。