FUXINSEMI(富芯森美)中国

FS0102S

晶体管 - FET，MOSFET - 单

N沟道,电流:2A,耐压:100V

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沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流2 A
导通电阻310 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流2 A
导通电阻310 mΩ最大 · 4.5V
电源
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)2A
其他
导通电阻(RDS(on))310mΩ@4.5V
数量1个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 25.0 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 1.2 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 1.1 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 1.1 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 1.1 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 1020.5 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 730.7 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 529.2 KB · 2026-09-21
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