G1008B
晶体管 - FET，MOSFET - 单类型：N+N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：8A 阈值电压(Vgs(th))：2.5V 导通电阻(RDS(on)@Vgs：99mΩ@10V 封装：SOP-8 Dual
沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流8 A
导通电阻102 mΩ
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沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流8 A
导通电阻102 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 8A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 102mΩ@10V,2A |
| 数量 | 1个N沟道 |