G300N04S2
晶体管 - FET，MOSFET - 单类型：N+N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：5.5A 阈值电压(Vgs(th))：2.5V 导通电阻(RDS(on)@Vgs：23mΩ@10V 32mΩ@4.5V 封装：SOP-8 Dual
耐压40 V
连续漏极电流5.5 A
导通电阻40 mΩ
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耐压40 V
连续漏极电流5.5 A
导通电阻40 mΩ最大 · 4.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |